Samsungdan Telefonlar Üçün 1 TB eUFS Daxili Yaddaş

Celal

Mircəlal
Rəhbərliki
Master

Samsung tərəfindən xüsusilə mobil cihazlar üçün inkişaf etdirilən yeni yaddaş (disk) çox sürətli işləyir.
Samsung, yeni eUFS daxili yaddaş hissəsinin anonsunu verib. eUFS 2.1 standartına uyğun olaraq inkişaf etdirilən bu yaddaş hissəsi, tam 1 TB tutuma malikdir. Bu texnologiyanın ilk olaraq Galaxy S10 telefonda istifadə edilə biləcəyi ehtimal edilir.

Samsungun yaddaş hissəsinin sürətinə də diqqət çəkir. Çip saniyədə 1.000 MB oxuma və 260 MB yazma sürətlərinə çatır. Təsadüfi oxuma və yazma sürətləri isə müvafiq olaraq 58.000 və 50.000 IOPS olaraq qeyd edilib.

Bu texnologiyanı 20 fevralda tanıdılacaq Galaxy S10 da görmə şansımız da çox böyüdkür.
 
Üst